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Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
150 C
25 C
1000
100
V GS = 15.0 V
10.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
4.5 V
1000
100
o
o
-55 C
10
10
o
2. T C = 25 C
1
0.1
1
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
o
10
20
1
2
*Notes:
1. V DS = 20V
2. 250 μ s Pulse Test
4 6
8
V DS , Drain-Source Voltage[V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
50
45
V GS , Gate-Source Voltage[V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
1000
150 C
25 C
40
35
V GS = 10V
100
o
o
30
V GS = 20V
10
*Notes:
*Notes: T C = 25 C
25
0
50
100 150 200 250
I D , Drain Current [A]
o
300
1
0.2
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
1.4
Figure 5. Capacitance Characteristics
100000
Figure 6. Gate Charge Characteristics
10
10000
C iss
8
V DS = 120V
V DS = 300V
1000
100
*Notes:
1. V GS = 0V
C oss
6
4
V DS = 480V
10
2. f = 1MHz
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
Coss = Cds + Cgd
C rss
2
Crss = Cgd
1
0.1 1 10 100
V DS , Drain-Source Voltage [V]
600
0
0
40
*Notes: I D = 38A
80 120 160 200 240
Q g , Total Gate Charge [nC]
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FCA76N60N Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
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